Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 279-9999
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS52DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB219.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB234.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB43.892 | THB219.46 |
| 50 - 95 | THB39.654 | THB198.27 |
| 100 - 245 | THB35.31 | THB176.55 |
| 250 - 995 | THB34.658 | THB173.29 |
| 1000 + | THB34.006 | THB170.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9999
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS52DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 162A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | 1212-8S | |
| Series | SISS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0012Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 162A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type 1212-8S | ||
Series SISS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0012Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S
- Vishay SiSS52DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS52DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4402DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5108DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5112DN-T1-GE3