Vishay SISS64DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-BE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น, ในเทปขนาด 1)*

THB44.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB47.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB44.06
25 - 99THB29.21
100 - 499THB14.85
500 +THB14.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-354
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS64DN-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SISS64DN

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance with its N-Channel configuration. Designed primarily for efficient switching applications, it optimises power management in various electronic circuits, ensuring reliable operation under demanding conditions.

Features TrenchFET Gen IV technology for enhanced efficiency

Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios reduce switching losses

Continuous drain current rating of up to 40A for robust performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง