Vishay SISS64DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-BE3
- RS Stock No.:
- 736-354
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS64DN-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 25 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB371.25
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB44.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 24 | THB44.06 | - |
| 25 - 99 | THB29.21 | THB371.25 |
| 100 - 499 | THB14.85 | THB2,921.00 |
| 500 + | THB14.36 | THB14,850.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-354
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS64DN-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Series | SISS64DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Series SISS64DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance with its N-Channel configuration. Designed primarily for efficient switching applications, it optimises power management in various electronic circuits, ensuring reliable operation under demanding conditions.
Features TrenchFET Gen IV technology for enhanced efficiency
Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios reduce switching losses
Continuous drain current rating of up to 40A for robust performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS64DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-UE3
- Vishay SISS30DN N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3
- Vishay SISS52DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS52DN-T1-BE3
- Vishay SISS26DN N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay SIS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay SISS N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3