Vishay SiSS52DN Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS52DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 210-5016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS52DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB268.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 14,430 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB26.80 | THB268.00 |
| 750 - 1490 | THB26.131 | THB261.31 |
| 1500 + | THB25.729 | THB257.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS52DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 162A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiSS52DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Height | 0.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 162A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiSS52DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Height 0.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.
TrenchFET Gen V power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSS52DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3
- Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212