Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 70.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 735-242
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS586DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB49.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB49.51 |
| 10 - 24 | THB32.18 |
| 25 - 99 | THB16.83 |
| 100 + | THB16.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-242
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS586DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0085Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0085Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay N channel MOSFET is designed for efficient power switching in a wide range of electronic applications. it delivers reliable performance with thorough gate resistance and unclamped inductive switching testing, ensuring robust operation under demanding conditions. the device supports environmentally responsible designs with RoHS compliant and halogen free construction, making it suitable for modern power management systems.
Supports high reliability operation in demanding environments
Suitable for synchronous rectification applications
Ideal for use as a primary side switch in power converters
Meets RoHS compliant and halogen free requirements
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3