Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 70.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB49.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB52.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB49.51
10 - 24THB32.18
25 - 99THB16.83
100 +THB16.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS586DN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0085Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N channel MOSFET is designed for efficient power switching in a wide range of electronic applications. it delivers reliable performance with thorough gate resistance and unclamped inductive switching testing, ensuring robust operation under demanding conditions. the device supports environmentally responsible designs with RoHS compliant and halogen free construction, making it suitable for modern power management systems.

Supports high reliability operation in demanding environments

Suitable for synchronous rectification applications

Ideal for use as a primary side switch in power converters

Meets RoHS compliant and halogen free requirements

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง