Vishay SISS30DN N channel-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB53.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB53.47
10 - 24THB34.66
25 - 99THB18.32
100 - 499THB17.82
500 +THB17.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS30DN-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

54.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SISS30DN

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00825Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient synchronous rectification and power conversion applications. It delivers excellent performance stability in demanding environments.

TrenchFET Gen IV technology enhances electrical efficiency

Very low on-resistance minimises energy losses during operation

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง