Vishay SISS26DN N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-BE3
- RS Stock No.:
- 736-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS26DN-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB292.10
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB84.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB90.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 ธันวาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB84.16 | - |
| 10 - 24 | THB54.95 | THB292.10 |
| 25 - 99 | THB28.71 | THB1,386.25 |
| 100 - 499 | THB27.72 | THB5,644.00 |
| 500 + | THB27.23 | THB28,465.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS26DN-T1-BE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SISS26DN | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0045Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SISS26DN | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management applications. It operates effectively at high voltages with low on-resistance, making it Ideal for synchronous rectification and DC-DC converters.
Rated for a drain-source voltage of 60 V, ensuring robust operation
Optimised for minimal power loss in various applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS26DN N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-UE3
- Vishay SISS52DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS52DN-T1-BE3
- Vishay SISS30DN N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3
- Vishay SISS64DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-BE3
- Vishay SISS64DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay SIS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3