Vishay SISS26DN N channel-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB84.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB90.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB84.16
10 - 24THB54.95
25 - 99THB28.71
100 - 499THB27.72
500 +THB27.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-351
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS26DN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SISS26DN

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for power management applications, featuring robust specifications and efficient operation tailored for demanding electronic environments.

TrenchFET Gen IV technology ensures superior performance and efficiency

Capable of handling a maximum drain-source voltage of 60 V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง