Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 33.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8347
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS5708DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

33.8 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง