Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF830APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB54.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58.71

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 314 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 615 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB54.87
13 - 24THB53.51
25 +THB52.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
542-9434
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-16-197
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF830APBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRF830A

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

Vishay IRF830A Series Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 5A Continuous Drain Current - IRF830APBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement transistor designed for switching and power-conversion tasks in industrial and commercial electronics. It operates across a wide temperature range for demanding environments and is supplied in a through-hole TO-220AB package for straightforward mounting and thermal management.

Features and Benefits:


• 500V drain rating enables high-voltage switching applications
• 1.4Ω maximum Rds reduces conduction losses under load
• 5A continuous drain current supports moderate current designs
• 74W maximum power dissipation allows substantial heat handling
• 24nC typical gate charge yields predictable switching performance
• 30V gate tolerance permits robust gate-drive margins

Applications


• Suitable for high-voltage supply switching in inverters
• Ideal for industrial motor-drive switching stages
• Used with discrete power supplies in laboratory equipment
• Can be used for resistive and inductive load switching
• Appropriate for through-hole prototyping and repair projects

What thermal performance considerations should be made when using it?


Thermal management must account for the 74W dissipation rating

a suitable heatsink and correct mounting in the TO-220AB orientation will maintain junction temperatures within safe limits.

How does the gate drive affect switching behaviour?


With a typical gate charge of 24nC and a maximum Vgs of 30V, gate-drive circuitry should be sized to provide sufficient current for desired rise and fall times while keeping gate voltage below the specified limit.

What environmental limits define its operating range?


The device is rated to function from -55°C up to 150°C, so system design should ensure ambient and thermal-resistance values keep junction temperature inside that span.

Is it suitable for automotive-grade designs?


It is not classified as automotive grade

designers should consider automotive-specific alternatives when vehicle-level qualifications are required.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง