Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF

RS Stock No.:: 281-6028
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-42-105
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF840PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF840 Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB365.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB390.905

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 570 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB73.066	THB365.33
50 - 95	THB66.424	THB332.12
100 - 245	THB63.766	THB318.83
250 - 495	THB59.782	THB298.91
500 +	THB53.14	THB265.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 281-6028
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-42-105
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF840PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRF840
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	850mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Forward Voltage Vf	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-220AB
	Series IRF840
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Forward Voltage Vf 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF840 Series Power MOSFET, 500V Drain Source Voltage, 125W Power Dissipation - IRF840PBF

This power MOSFET is a high-voltage semiconductor device intended for switching and amplification in power electronics. It operates across a broad temperature span and is supplied in a through-hole TO-220AB package suited to heatsinking. The component is RoHS-compliant and employs an N-channel enhancement topology for controlling drain-source conduction in high-voltage circuits.

Features and Benefits:

• 500V drain-source rating for high-voltage applications
• 8A continuous drain current supports sustained loads
• 125W power dissipation for elevated thermal handling
• 850mΩ Rds(on) balances conduction losses and control simplicity
• 63nC total gate charge enables predictable switching control
• 20V maximum gate-source voltage allows robust gate drive

Applications

• Suitable for switch-mode power supply output stages
• Used with high-voltage motor drive circuits
• Ideal for industrial inverter switching elements
• Can be used for DC-DC converter high-side transistors
• Used for laboratory power test rigs and prototype boards

What ambient temperatures can it tolerate during operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, allowing use in demanding thermal environments.

How should it be mounted for optimal thermal performance?

The TO-220AB through-hole format is designed for attachment to a heatsink using the tab and fastener to maximise thermal conduction.

What gate drive constraints must designers observe?

Gate-source voltage must not exceed 20V

typical gate drive circuitry should provide controlled transitions to manage the 63nC gate charge.

Are there any automotive-grade assurances for use in vehicles?

It is not listed as an automotive standard device, so designers should assess suitability before vehicle applications.