Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF830ASPBF
- RS Stock No.:
- 650-4110
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF830ASPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB333.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB356.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 890 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB66.71 | THB333.55 |
| 15 - 20 | THB65.04 | THB325.20 |
| 25 + | THB64.038 | THB320.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 650-4110
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF830ASPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IRF830A | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IRF830A | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF830APBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V, 3-Pin IRF830ALPBF
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP460BPBF
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFI Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
