Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF830APBF

RS Stock No.:: 178-0834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF830APBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF830APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,084.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,230.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB41.686	THB2,084.30
100 - 150	THB40.78	THB2,039.00
200 +	THB39.873	THB1,993.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF830APBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRF830A
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	9.01mm
	Length	10.41mm
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-220AB
	Series IRF830A
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 9.01mm
	Length 10.41mm
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRF830A Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 5A Maximum Continuous Drain Current - IRF830APBF

This power MOSFET is a through-hole N-channel enhancement device designed for high-voltage switching in industrial electronics. It is intended for applications where robust drain-to-source voltage handling and moderate current capacity are required, providing a Compact solution for power switching on heatsinked assemblies.

Features and Benefits:

• 500V Vds enables high-voltage switching in industrial circuits • 5A continuous drain current supports steady load operation • 1.4Ω Rds(on) minimises conduction losses under load • 74W maximum power dissipation for effective thermal handling • 24nC typical gate charge allows predictable switching behaviour • Vgs ±30V rating protects gate under control-signal excursions

Applications

• Suitable for high-voltage motor drive front-ends • Ideal for switch-mode power supplies in industrial equipment • Used for power conversion modules requiring through-hole mounting • Can be used for relay-replacement switching in control panels

What mounting method is required for reliable heat removal?

The device is supplied in a TO-220AB package for through-hole installation and benefits from a heatsink attached to the tab to achieve rated power dissipation.

How does the gate charge affect switching performance?

A typical gate charge of 24nC at rated conditions determines required driver strength and influences switching losses and rise/fall times in high-speed applications.

What temperature range can it operate within?

The component is rated to function from -55°C up to 150°C, allowing use across harsh industrial thermal environments.

What protection should be considered for gate and drain overstress?

Designers should include gate protection to remain within ±30V and implement snubbing or clamp networks to limit transients on the drain at high voltages.