Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF830APBF
- RS Stock No.:
- 178-0834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF830APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,084.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,230.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB41.686 | THB2,084.30 |
| 100 - 150 | THB40.78 | THB2,039.00 |
| 200 + | THB39.873 | THB1,993.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF830APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRF830A | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRF830A | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF830ASPBF
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R800CEAUMA1
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay IRF840LC Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF840LCPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820PBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF