Vishay IRFB11N50A Type N-Channel Power MOSFET, 11 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 178-0823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB11N50APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,961.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,168.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB59.22 | THB2,961.00 |
| 100 - 150 | THB57.933 | THB2,896.65 |
| 200 + | THB56.646 | THB2,832.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0823
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB11N50APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | IRFB11N50A | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 520mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 4.7mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series IRFB11N50A | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 520mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 4.7mm | ||
Length 10.41mm | ||
Height 9.01mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFB11N50A Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 11A Maximum Continuous Drain Current - IRFB11N50APBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control in industrial systems. It operates as an enhancement-mode transistor for managing high-voltage loads and is mounted through the PCB using a TO-220AB through-hole package for straightforward heatsinking and assembly.
Features and Benefits:
• 500V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching
• 11A continuous drain current supports moderate load currents
• 520mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-duty circuits
• 170W power dissipation allows substantial thermal handling
• 52nC typical gate charge facilitates predictable switching dynamics
• 150°C maximum operating temperature sustains elevated thermal environments
• 11A continuous drain current supports moderate load currents
• 520mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-duty circuits
• 170W power dissipation allows substantial thermal handling
• 52nC typical gate charge facilitates predictable switching dynamics
• 150°C maximum operating temperature sustains elevated thermal environments
Applications
• Suitable for SMPS primary-side switching in power supplies
• Ideal for inverter-stage switching in motor drives
• Used for high-voltage DC-DC conversion modules
• Can be used for industrial relay and contactor drive circuits
• Ideal for inverter-stage switching in motor drives
• Used for high-voltage DC-DC conversion modules
• Can be used for industrial relay and contactor drive circuits
What gate drive limits should I observe for safe operation?
Drive the gate within ±30V to avoid exceeding the maximum gate-source rating and ensure reliable switching.
How does thermal management affect performance under continuous load?
Attach a heatsink to the TO-220AB tab to keep junction temperature below maximum limits and maintain the stated power dissipation capability.
What ambient range is supported for deployment in industrial sites?
The device tolerates operating temperatures down to -55°C and up to 150°C for use across wide environmental conditions.
How does the package style influence mounting and serviceability?
The through-hole TO-220AB format permits secure mechanical mounting and straightforward replacement during maintenance.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB11N50APBF
- Vishay IRFP448 Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP448PBF
- Vishay IRFP448 Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA125N60EF-GE3
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi NTPF Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
