Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB92.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB98.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB92.06
10 +THB89.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-140
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHP11N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

EF

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.483Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 8A Continuous Drain Current - SIHP11N80AEF-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and amplification in demanding electronic systems. It operates over a wide temperature span and fits a through-hole TO-220AB package, making it suitable for repairs, prototype boards and production assemblies where a robust, mountable device is required. The component is RoHS-compliant and intended for enhancement-mode applications requiring substantial voltage handling and moderate current.

Features and Benefits:


• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 8A continuous drain current supports sustained load conduction
• 0.483Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 78W power dissipation capacity tolerates elevated thermal load
• 27nC typical gate charge gives predictable switching behaviour
• ±30V gate tolerance permits high gate-drive amplitudes

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for motor-drive stages with medium current requirements
• Used with industrial switching circuits exposed to heat
• Can be used for battery-charger and inverter topologies
• Suited to through-hole hardware repair and retrofit projects

What temperature range will it function within?


It is rated to operate from -55°C up to 150°C, permitting use in environments with large thermal variations.

How should it be mounted for effective heat management?


The TO-220AB through-hole package allows attachment to a heatsink for improved thermal dissipation and stable power handling.

What gate-drive considerations are required?


The device is gate-rated to ±30V, so gate drivers should be selected to provide appropriate voltage without exceeding this limit.

Is it suitable for automotive-standard designs?


It is not specified to meet automotive standards, so designs requiring automotive qualification should consider that limitation.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง