Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8290
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB080N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB324.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB347.546
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,038 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB162.405 | THB324.81 |
| 10 - 18 | THB146.48 | THB292.96 |
| 20 - 98 | THB143.555 | THB287.11 |
| 100 - 498 | THB119.935 | THB239.87 |
| 500 + | THB102.175 | THB204.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8290
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB080N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SIHB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.08Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 227W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SIHB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.08Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 227W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1