Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 279-9903
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB150N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,149.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,509.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB102.989	THB5,149.45
100 +	THB91.545	THB4,577.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9903
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB150N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	E
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.137Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series E
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.137Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHB150N60E-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 22A Maximum Continuous Drain Current - SIHB150N60E-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for use in power conversion and control circuits within industrial and automation environments. It operates as an enhancement-mode N-channel device in a surface-mount TO-263 package, offering a practical footprint for assemblies that require robust high-voltage switching while withstanding a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 600V drain rating enables high-voltage switching applications • 22A continuous drain current allows sustained load handling • 0.137Ω Rds(on) reduces conduction losses under load • 179W power dissipation supports higher power stages • 36nC typical gate charge facilitates manageable switching losses • 30V gate voltage rating allows broad gate-drive flexibility

Applications

• Suitable for switch-mode power supplies requiring high-voltage transistors • Ideal for motor drives in industrial automation systems • Used for inverter stages in power conversion modules • Can be used for high-voltage relay replacement in control gear • Used with power assemblies operating at elevated temperatures

What temperature range can the device tolerate during operation?

It is specified to operate down to -55°C and up to 150°C ambient extremes, suitable for harsh industrial thermal conditions.

How many terminals does the package provide and what mounting style is used?

The device has three pins and is supplied in a surface-mount TO-263 package for PCB assembly.

What maximum gate drive should be applied to the gate electrode?

The gate-source voltage must not exceed 30V to prevent gate overstress.

What is the typical switching characteristic to consider for drive design?

The gate charge is 36nC, which should be factored into driver sizing to control switching transitions and losses.