Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3

RS Stock No.:: 268-8295
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB6N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB345.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB370.07

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

1,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB69.172	THB345.86
10 - 20	THB62.272	THB311.36
25 - 95	THB61.052	THB305.26
100 - 495	THB50.134	THB250.67
500 +	THB41.05	THB205.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-263
	Series	SIHB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.95Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-263
	Series SIHB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.95Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง