Infineon IPP60R N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R060C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB69.35
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB554.97
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB593.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 926 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | THB277.485 | THB554.97 | - |
| 10 - 98 | THB270.55 | THB541.10 | THB69.35 |
| 100 - 248 | THB263.785 | THB527.57 | THB1,370.00 |
| 250 - 498 | THB257.185 | THB514.37 | THB5,075.00 |
| 500 + | THB250.755 | THB501.51 | THB13,365.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R060C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP60R | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 162W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP60R | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 162W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.36mm | ||
Width 4.57mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R022S7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4615PBF
- ROHM R6535KNX3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252