Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3

RS Stock No.:: 279-9905
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB150N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 22 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB328.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB351.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

986 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB164.41	THB328.82
10 - 28	THB161.01	THB322.02
30 - 98	THB157.605	THB315.21
100 +	THB148.53	THB297.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9905
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB150N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.137Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.137Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHB150N60E-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 22A Continuous Drain Current - SIHB150N60E-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor device designed for switching and power-conversion roles in demanding industrial environments. It operates across a wide ambient range and is supplied in a surface-mount TO-263 package for applications where board-mounted power handling and thermal management are required.

Features and Benefits:

• 600V drain rating enabling high-voltage switching
• 22A continuous drain current for sustained load handling
• 0.137Ω low Rds(on) reducing conduction losses
• 179W power dissipation for elevated thermal performance
• 36nC typical gate charge for predictable switching control
• 30V gate limit allowing robust gate-drive margins

Applications

• Suitable for industrial motor drive inverters
• Ideal for offline switch-mode power supplies
• Used with high-voltage DC-DC converters
• Can be used for power factor correction stages
• Suitable for hard-switching topologies in power electronics

What package considerations affect PCB thermal design?

The TO-263 surface-mount format requires a substantial copper area and thermal vias beneath the package to extract heat and exploit the 179W dissipation capability while maintaining junction temperatures.

How does gate-drive choice impact switching performance?

With a typical gate charge of 36nC and a maximum Vgs of 30V, driver current and slew-rate control directly influence switching losses and electromagnetic emissions during transitions.

What environmental extremes can the device tolerate?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, allowing use in installations exposed to wide temperature fluctuations without derating for basic operation.

Are there constraints on polarity or channel operation?

The device is an enhancement-mode N-channel MOSFET, therefore it requires a positive gate-source voltage relative to the source to turn on and must be used accordingly in circuit topology.