Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9905
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB150N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB250.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB268.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 994 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB125.24 | THB250.48 |
| 10 - 28 | THB122.65 | THB245.30 |
| 30 - 98 | THB120.055 | THB240.11 |
| 100 + | THB113.145 | THB226.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9905
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB150N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SIHB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SIHB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Reduced switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB6N80AE-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3