Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB432.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB462.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB216.29THB432.58
10 - 18THB194.48THB388.96
20 - 98THB190.57THB381.14
100 - 498THB159.12THB318.24
500 +THB135.47THB270.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8293
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB085N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHB Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 34A Maximum Continuous Drain Current - SIHB085N60EF-GE3


This high-voltage N-channel MOSFET is designed for power switching in demanding industrial and electronic systems. It functions as an enhancement-mode transistor suitable for surface-mount assembly in applications requiring robust voltage handling and elevated thermal tolerance. The device supports conventional gate drive levels and is intended for use where controlled conduction and Rapid switching are required.

Features and Benefits:


• 650V drain rating for high-voltage switching capability
• 34A continuous drain current for heavy-load operation
• 0.084Ω Rds(on) minimises conduction losses in circuits
• 184W power dissipation allows sustained thermal load handling
• 63nC typical gate charge for switching performance optimisation
• 30V gate tolerance supports standard gate-drive voltages

Applications


• Suitable for high-voltage SMPS primary-side switching
• Ideal for industrial motor drive inverter stages
• Used for power factor correction front-end switches
• Can be used for high-voltage relay and contactor driver circuits

What temperature range can it operate within?


It is rated to operate down to -55°C and up to a maximum of 150°C, enabling use across wide thermal environments.

How is the package suited to assembly processes?


The device is supplied in a TO-263 surface-mount package with three pins, facilitating automated solder mounting and thermal management on power PCBs.

What is the gate drive requirement limit?


The maximum permissible gate-to-source voltage is 30V, so gate-drive circuitry should be designed to remain within this threshold.

Does the component follow any environmental directives?


It conforms to RoHS requirements, indicating the absence of certain restricted substances in its construction.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง