Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 222-4925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R060C7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB6,710.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,180.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 100	THB134.216	THB6,710.80
150 - 200	THB130.861	THB6,543.05
250 +	THB127.589	THB6,379.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R060C7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPP60R
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	68nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	162W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	9.45mm
	Length	10.36mm
	Width	4.57 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPP60R
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 162W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 9.45mm
	Length 10.36mm
	Width 4.57 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R060C7XKSA1

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง