Infineon IPP60R N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4925
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R060C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB593.55
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB7,913.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,467.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 100 | THB158.27 | THB7,913.50 | - |
| 150 - 200 | THB154.313 | THB7,715.65 | THB593.55 |
| 250 + | THB150.455 | THB7,522.75 | THB1,953.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4925
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R060C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPP60R | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 162W | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.57mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPP60R | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 162W | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.57mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120P7XKSA1
- Infineon IPP60R N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R022S7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4615PBF
- ROHM R6535KNX3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252