Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB080N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
268-8289
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB080N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง