Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2

RS Stock No.:: 258-3845
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50P04P4L11ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB100.63

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB107.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,810 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB50.315	THB100.63
10 - 98	THB45.25	THB90.50
100 - 248	THB35.13	THB70.26
250 - 498	THB28.96	THB57.92
500 +	THB22.95	THB45.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3845
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50P04P4L11ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	58W
	Forward Voltage Vf	-1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 58W
	Forward Voltage Vf -1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P4L11ATMA2

Infineon IPD Series MOSFET, 40V Drain-Source Voltage, 58W Power Dissipation - IPD50P04P4L11ATMA2

This MOSFET is a P-channel power transistor intended for high-current switching in surface-mounted assemblies. It operates across a wide ambient range and is designed for demanding temperature environments, making it suitable for applications where thermal endurance and Compact packaging matter.

Features and Benefits:

• Low Rds(on) 10.6mΩ reduces conduction losses
• Continuous drain current -50A supports high-current loads
• Gate charge 45nC allows predictable switching energy
• Maximum Vgs 5V ensures safe gate drive limits
• TO-252 surface mount enables Compact board layouts

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for high-current polarity switching circuits
• Used with thermal management for extended-temperature systems
• Can be used for DC power control in vehicle electronics

What temperature extremes can it withstand?

It is rated to operate from -55°C up to 175°C.

What packaging and mount type does it use?

It is supplied in a TO-252 package intended for surface mounting.

How does the device perform under high-power conditions?

It allows up to 58W dissipation, enabling sustained power handling with appropriate thermal management.

Are there limits for the drain-source voltage and gate drive?

The device specifies a maximum drain-source voltage of -40V and a maximum gate-source of 5V.