Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2

RS Stock No.:: 217-2519
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50P04P413ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB731.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB782.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

6,820 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB36.58	THB731.60
640 - 1240	THB35.666	THB713.32
1260 +	THB35.117	THB702.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2519
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50P04P413ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	58W
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 58W
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P413ATMA2

Infineon IPD Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 50A Maximum Continuous Drain Current - IPD50P04P413ATMA2

This MOSFET is a P-channel enhancement device designed to control high currents in demanding environments, providing a semiconductor switch capable of handling substantial drain-source loads while tolerating wide temperature ranges.

Features and Benefits:

• 40V drain-source rating enables medium-voltage switching applications
• 50A continuous drain capability supports high-current loads
• 12.6mΩ Rds(on) minimises conduction losses for efficient operation
• 58W maximum power dissipation allows sustained power handling
• 39nC typical gate charge yields predictable switching energy requirements
• 20V gate voltage rating permits robust gate-drive margins

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for high-current load switching in control units
• Used with thermal management systems for elevated-temperature operation
• Can be used for battery protection and power-path control
• Compatible with through-hole mounting on power assemblies

What temperature range can it reliably operate within?

It is specified to operate from -55°C up to 175°C.

What package type and mounting method are used?

It is supplied in a TO-252 package intended for through-hole mounting.

How does the gate-charge figure affect switching design?

A 39nC gate charge indicates the gate-drive energy and influences driver sizing and switching losses.

Is it suitable for use in automotive electronic systems?

It conforms to the AEC‑Q101 automotive device standard for suitability in vehicle environments.

What is the maximum allowable gate-to-source voltage?

The maximum VGS rating is 20V.