Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.9 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD18DP10LMATMA1
- RS Stock No.:
- 235-4855
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD18DP10LMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB8.48
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB219.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB235.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,445 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 5 | THB43.954 | THB219.77 | - |
| 10 - 95 | THB43.106 | THB215.53 | THB8.48 |
| 100 - 245 | THB42.196 | THB210.98 | THB175.80 |
| 250 - 495 | THB41.348 | THB206.74 | THB651.50 |
| 500 + | THB40.568 | THB202.84 | THB1,693.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4855
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD18DP10LMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 178mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | -42nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 178mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs -42nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD18DP10LMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD42DP15LMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1
