Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1

RS Stock No.:: 235-4856
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD19DP10NMATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB46,762.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50,035.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB18.705	THB46,762.50
5000 - 5000	THB17.77	THB44,425.00
7500 +	THB16.882	THB42,205.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 235-4856
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD19DP10NMATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	13.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	186mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	-36nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 13.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 186mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs -36nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD19DP10NMATMA1

The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy Interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.

Available in 4 different packages

Wide range

Normal level and logic level availability

Ideal for high and low switching frequency

Easy Interface to MCU

Low design complexity

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง