Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3841
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB56,620.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60,582.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB22.648 | THB56,620.00 |
| 5000 - 5000 | THB20.383 | THB50,957.50 |
| 7500 + | THB18.345 | THB45,862.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3841
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252