Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P405ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB90.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB96.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 732 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB45.23 | THB90.46 |
| 10 - 98 | THB40.585 | THB81.17 |
| 100 - 248 | THB32.685 | THB65.37 |
| 250 - 498 | THB26.795 | THB53.59 |
| 500 + | THB22.305 | THB44.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P405ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252