Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P405ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB90.46
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB96.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 732 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB45.23 | THB90.46 |
| 10 - 98 | THB40.585 | THB81.17 |
| 100 - 248 | THB32.685 | THB65.37 |
| 250 - 498 | THB26.795 | THB53.59 |
| 500 + | THB22.305 | THB44.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P405ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252