Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB83,667.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB89,525.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB33.467THB83,667.50
5000 - 5000THB32.463THB81,157.50
7500 +THB31.164THB77,910.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-3870
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD90P04P4L04ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.30mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5V

Forward Voltage Vf

-1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon IPD Series MOSFET, -40V Maximum Drain-Source Voltage, 125W Maximum Power Dissipation - IPD90P04P4L04ATMA2


This MOSFET is a P‑channel enhancement device designed for surface‑mount power switching and control in demanding electronic systems. It operates across a broad temperature span and is suited to high‑current applications where low conduction loss and defined gate‑drive thresholds are required. The device meets recognised environmental and automotive stress standards for use in engineered assemblies.

Features and Benefits:


• Low on‑resistance reduces conduction losses for efficiency gains
• High continuous current capability supports heavy‑load switching
• 135 nC typical gate charge enables controlled switching behaviour
• 125W power dissipation permits sustained power handling
• Wide operating temperature range allows extended environmental tolerance

Applications


• Suitable for high‑current power distribution modules in vehicles
• Ideal for thermally challenging industrial power converters
• Used with gate‑drive circuits requiring 5V compatibility
• Can be used for surface‑mount board‑level power switching
• Suitable for RoHS‑compliant automotive electronic assemblies

What gate‑drive voltage range is compatible with this device?


It accepts a maximum gate‑source voltage of 5V, which aligns with common logic‑level drivers.

How does the device behave in extreme temperatures?


It is specified to operate from -55°C up to 175°C, enabling use in wide‑temperature environments.

What package and mounting method are provided for assembly?


The component is supplied in a TO‑252 package configured for surface mounting on circuit boards.

What approvals and environmental standards does it meet?


It conforms to DIN IEC 68‑1 and RoHS requirements and satisfies automotive AEC‑Q101 qualification.

What electrical limits should designers observe for safe operation?


The device is rated for -40V drain-source voltage, -90A continuous drain current, and a maximum gate charge of 135 nC.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง