Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -73 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2

RS Stock No.:: 258-3861
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70P04P409ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -73 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB90,767.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB97,120.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB36.307	THB90,767.50
5000 - 5000	THB35.218	THB88,045.00
7500 +	THB33.809	THB84,522.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3861
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70P04P409ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-40V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	75W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -73A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -40V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 75W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD70P04P409ATMA2

Infineon IPD Series MOSFET, 75W Power Dissipation -40V Drain-Source Voltage - IPD70P04P409ATMA2

This MOSFET is a P‑channel enhancement‑mode power transistor designed for surface‑mount applications in demanding electrical environments. It operates across a wide temperature span from -55°C to 175°C and is suitable where high current handling and Compact mounting are required. The device complies with RoHS and meets automotive test standard AEC‑Q101 for use in automotive‑grade electronics.

Features and Benefits:

• 8.9mΩ Rds(on) reduces conduction losses and improves efficiency
• -73A continuous drain current supports heavy current demands
• 75W power dissipation allows sustained power handling
• 54 nC typical gate charge enables predictable switching behaviour
• TO‑252 package facilitates Compact surface mounting

Applications

• Suitable for high‑current load switching in automotive systems
• Ideal for reverse‑polarity protection in power rails
• Used with power‑management circuits in vehicular electronics
• Can be used for synchronous control in DC power stages
• Suitable for thermally stable designs across wide temperature ranges

What voltage rating applies between drain and source?

The device is rated for -40V maximum drain‑to‑source voltage.

What gate voltage limits must be observed to avoid damage?

Gate‑to‑source voltage must not exceed 20V to prevent gate stress.

How does the package affect PCB assembly?

The TO‑252 surface‑mount form factor supports standard solder reflow processes and Compact board layouts.

What thermal extremes can the device tolerate during operation?

It is specified for operation from -55°C up to 175°C for wide‑range thermal resilience.