Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3863
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB79,277.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB84,827.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB31.711 | THB79,277.50 |
| 5000 - 5000 | THB28.54 | THB71,350.00 |
| 7500 + | THB25.686 | THB64,215.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3863
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252