Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- RS Stock No.:
- 258-3867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD85P04P407ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB127.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,572 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB63.51 | THB127.02 |
| 10 - 98 | THB57.22 | THB114.44 |
| 100 - 248 | THB45.905 | THB91.81 |
| 250 - 498 | THB37.73 | THB75.46 |
| 500 + | THB31.44 | THB62.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3867
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD85P04P407ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD85P04P4L06ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252