Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET, 100 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

RS Stock No.:: 252-0294
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZF5302DT-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET, 100 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB98,079.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB104,946.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 6000	THB32.693	THB98,079.00
9000 +	THB30.405	THB91,215.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 252-0294
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIZF5302DT-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3FS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	12
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0032Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	48.1W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3FS
	Mount Type Surface
	Pin Count 12
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0032Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 48.1W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SIZF5302DT-T1-RE3

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Symmetric dual N-channel

Flip chip technology optimal thermal design

High side and low side MOSFETs form optimized

Combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency

For high frequency swi

Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET, 100 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง