Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

RS Stock No.:: 178-3703
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ350DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้

เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	16.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3 mm
	Length	3mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 16.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Width 3 mm
	Length 3mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง