Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

RS Stock No.:: 178-3703
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ350DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB58,836.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB62,955.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB19.612	THB58,836.00
6000 - 9000	THB19.024	THB57,072.00
12000 +	THB18.453	THB55,359.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3703
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ350DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAIR 3 x 3
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	16.7W
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Height	0.75mm
	Length	3mm
	Width	3 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAIR 3 x 3
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 16.7W
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Height 0.75mm
	Length 3mm
	Width 3 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized

combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates

efficiency for high frequency switching

APPLICATIONS

Synchronous buck

DC/DC conversion

Half bridge

Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง