Vishay Dual SiZF5300DT 2 N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
252-0292
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIZF5300DT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiZF5300DT

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FS

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00351Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3mm

Height

3.3mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The Field-Effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Symmetric dual N-channel

Flip chip technology optimal thermal design

High side and low side MOSFETs form optimized

Combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency

For high frequency swi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง