Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs, 34.6 A, 70 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF458LDT-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 847-936
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB61.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB65.77
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB61.47 |
| 10 - 24 | THB40.07 |
| 25 - 99 | THB23.59 |
| 100 - 499 | THB23.04 |
| 500 + | THB22.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 847-936
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 70V | |
| Package Type | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.020Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS3 Compliant | |
| Height | 1mm | |
| Width | 3.30mm | |
| Length | 3.30mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 70V | ||
Package Type PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.020Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS3 Compliant | ||
Height 1mm | ||
Width 3.30mm | ||
Length 3.30mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay dual N-channel MOSFET designed for efficient power management, primarily serving in switching applications that require high reliability and performance under varying voltage conditions.
Operates with a maximum drain-source voltage of 70 V for robust performance
Optimised for 50% duty cycle configurations, enhancing efficiency in switching
Utilises flip chip technology, offering superior thermal design for better heat dissipation
100% tested for R and UIS to ensure reliability in critical applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-UE3
- Vishay SIZF456LDT Dual N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF456LDT-T1-UE3
- Vishay SIZF5302DT Dual N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3