Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET, 100 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 252-0295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB352.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB377.465
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,035 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB70.554 | THB352.77 |
| 50 - 95 | THB59.918 | THB299.59 |
| 100 - 245 | THB51.232 | THB256.16 |
| 250 - 995 | THB50.254 | THB251.27 |
| 1000 + | THB34.74 | THB173.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0295
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0032Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0032Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.
TrenchFET Gen V power MOSFET
Symmetric dual N-channel
Flip chip technology optimal thermal design
High side and low side MOSFETs form optimized
Combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency
For high frequency swi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay Dual SiZF5300DT 2 Type N-Channel MOSFET 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay Dual SiZF5300DT 2 Type N-Channel MOSFET 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SIZ256DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S