Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB99.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB106.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB99.51
10 - 24THB64.86
25 - 99THB33.67
100 - 499THB33.17
500 +THB32.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-656
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIZF5300DT-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FS

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00351Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay High performance Dual N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications, delivering superior thermal performance and switching capabilities.

TrenchFET Gen V technology optimises efficiency and performance

Symmetric dual n-channel configuration enables versatile circuitry designs

High side and low side MOSFETs support 50% duty cycle applications

Extensive testing ensures reliable operation under rigorous conditions

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง