Vishay SIZF5302DT Dual N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB53.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB53.47
10 - 24THB34.66
25 - 99THB18.32
100 - 499THB17.82
500 +THB17.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-358
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIZF5302DT-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Dual N-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FS

Series

SIZF5302DT

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0032Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

48.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Dual N-channel MOSFET, efficiently managing power in various applications such as synchronous buck and computer peripherals.

Utilises TrenchFET Gen V technology for enhanced efficiency

Features dual N-channel architecture that optimises heat dissipation

Capable of handling a maximum continuous drain current of 28.1A at 25°C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง