Vishay SIZF5302DT Dual N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB53.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB53.47
10 - 24THB34.66
25 - 99THB18.32
100 - 499THB17.82
500 +THB17.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-358
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIZF5302DT-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIZF5302DT

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FS

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0032Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

48.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Dual N-channel MOSFET, efficiently managing power in various applications such as synchronous buck and computer peripherals.

Utilises TrenchFET Gen V technology for enhanced efficiency

Features dual N-channel architecture that optimises heat dissipation

Capable of handling a maximum continuous drain current of 28.1A at 25°C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง