Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1
- RS Stock No.:
- 235-4852
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD11DP10NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 4%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB66,842.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,522.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB26.737 | THB66,842.50 | - |
| 5000 - 5000 | THB25.401 | THB63,502.50 | 4% |
| 7500 + | THB24.13 | THB60,325.00 | 9% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4852
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD11DP10NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 111mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | -59nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 111mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs -59nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD18DP10LMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD42DP15LMATMA1
