Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1

RS Stock No.:: 235-4853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD11DP10NMATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB335.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB359.115

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,050 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB67.124	THB335.62
10 - 95	THB65.826	THB329.13
100 - 245	THB64.442	THB322.21
250 - 495	THB63.14	THB315.70
500 +	THB61.93	THB309.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 235-4853
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD11DP10NMATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	111mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	-59nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 111mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs -59nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD11DP10NMATMA1

The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy Interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.

Available in 4 different packages

Wide range

Normal level and logic level availability

Ideal for high and low switching frequency

Easy Interface to MCU

Low design complexity

Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง