Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHH080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB409.56

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB438.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,594 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB204.78	THB409.56
50 - 98	THB199.655	THB399.31
100 - 248	THB194.665	THB389.33
250 - 998	THB189.80	THB379.60
1000 +	THB185.06	THB370.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHH080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Power Dissipation Pd	184W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Power Dissipation Pd 184W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 32A Maximum Continuous Drain Current - SiHH080N60E-T1-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for surface-mount power conversion and control tasks. It operates across a wide ambient range and is intended for applications requiring substantial current handling, efficient switching and compact PCB mounting. The device is manufactured to meet RoHS environmental standards and is supplied in a PowerPAK package for low-profile assembly.

Features and Benefits:

• 650V drain capability enables high-voltage applications
• 32A continuous drain current supports heavy load handling
• 70mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 42nC typical gate charge allows faster switching transitions
• 184W power dissipation manages thermal energy in operation
• Vgs limit of 30V permits standard gate‑drive voltages

Applications

• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor inverter stages
• Used with PFC circuits requiring robust switches
• Can be used for renewable‑energy inverter sections
• Suitable for compact surface‑mount power assemblies

What temperature extremes can the device tolerate in operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, accommodating harsh thermal environments and elevated junction temperatures.

How does the package assist with PCB assembly and thermal behaviour?

The PowerPAK surface‑mount package offers a low‑profile footprint for automated placement and provides a thermal path suited to copper heatsinking on the PCB.

What gate‑drive considerations are required for reliable switching?

Drive circuitry should respect the ±30V gate‑source rating and be sized to supply the typical 42nC gate charge for desired switching speed and EMI control.

Is this device appropriate for automotive systems?

It is not defined as an automotive‑standard device, so designers should verify qualification requirements before using it in certified automotive programmes.