Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 124-2251
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB190.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB204.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 99 | THB190.73 |
| 100 - 499 | THB185.01 |
| 500 - 999 | THB179.29 |
| 1000 - 2999 | THB175.49 |
| 3000 + | THB171.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-2251
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | E | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 135mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 77nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 202W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8.1 mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series E | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 135mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 77nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 202W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8.1 mm | ||
Length 8.1mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).
Features
Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Low on-resistance (RDS(on))
Ultra-low gate charge (Qg)
Fast switching
Reduced switching and conduction losses
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR120N60E-T1-GE3