N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH26N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 124-2251
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH26N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH26N60E-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each**

THB190.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB204.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 20/06/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
1 - 99	THB190.73
100 - 499	THB185.01
500 - 999	THB179.29
1000 - 2999	THB175.49
3000 +	THB171.67

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-2251
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH26N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	25 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	PowerPAK 8 x 8
Series	E Series
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	135 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	202 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs	77 nC @ 10 V
Length	8.1mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	8.1mm
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 Vishay SIHH26N60E-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง