Vishay E Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 210-4990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH240N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB470.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB503.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,945 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB94.154 | THB470.77 |
| 750 - 1495 | THB91.802 | THB459.01 |
| 1500 + | THB90.388 | THB451.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHH240N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | E | |
| Package Type | PowerPAK 8 x 8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 208mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 7.9mm | |
| Width | 7.9 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series E | ||
Package Type PowerPAK 8 x 8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 208mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 7.9mm | ||
Width 7.9 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has PowerPAK 8 x 8 package type with single configuration.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3