Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2842
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB405.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB433.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 796 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB202.75 | THB405.50 |
| 10 - 48 | THB197.675 | THB395.35 |
| 50 - 98 | THB192.73 | THB385.46 |
| 100 - 248 | THB187.915 | THB375.83 |
| 250 + | THB183.22 | THB366.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2842
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 25A Continuous Drain Current - SIHB120N60E-T1-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel device designed for switching and power-conversion tasks in surface-mount assemblies. It operates across an extended temperature range and is intended for applications demanding significant voltage tolerance and thermal performance while complying with RoHS directives.
Features and Benefits:
• 650V drain-to-source withstand enables high-voltage switching
• 25A continuous drain current supports substantial load currents
• 120mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths
• 179W power dissipation allows sustained thermal load handling
• 30V gate tolerance permits robust gate-drive margins
• 30nC typical gate charge for predictable switching energy
• 25A continuous drain current supports substantial load currents
• 120mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths
• 179W power dissipation allows sustained thermal load handling
• 30V gate tolerance permits robust gate-drive margins
• 30nC typical gate charge for predictable switching energy
Applications
• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for industrial motor-drive switching stages
• Used for DC-DC conversion in telecom equipment
• Can be used for power-factor-correction circuits
• Appropriate for UPS and battery-management switching
• Ideal for industrial motor-drive switching stages
• Used for DC-DC conversion in telecom equipment
• Can be used for power-factor-correction circuits
• Appropriate for UPS and battery-management switching
What thermal range can this device tolerate during operation?
It is rated to function from -55°C up to 150°C, permitting use in demanding thermal environments.
How is the device packaged for PCB assembly?
It comes in a TO-263 surface-mount package with three terminals for efficient board mounting and heat dissipation.
What switching behaviour can I expect regarding gate drive?
With a maximum gate-source voltage of 30V and a typical gate charge of 30nC, the gate-drive requirements are moderate and predictable for common gate-driver circuits.
Is this part suitable for automotive-spec applications?
It is not designated to automotive standards, so it should not be selected where automotive certification is required.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
