Dual N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4090BDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2821
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si4090BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4090BDY-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)**

THB42.522

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB45.499

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 20/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 - 45	THB42.522	THB212.61
50 - 95	THB41.458	THB207.29
100 - 245	THB40.42	THB202.10
250 - 995	THB39.41	THB197.05
1000 +	THB38.426	THB192.13

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2821
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si4090BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet - Si4090BDY-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18.7 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	SO-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	0.01 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2

Dual N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4090BDY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง