Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 228-2820
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si4090BDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB69,444.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB74,304.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB23.148 | THB69,444.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2820
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si4090BDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7.4W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7.4W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
