Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4840BDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 710-4736
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4840BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4840BDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB269.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB288.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

3,770 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB53.98	THB269.90
625 - 1245	THB52.63	THB263.15
1250 +	THB51.822	THB259.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-4736
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4840BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.012Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.012Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 19 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4840BDY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง