N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH Vishay SiSH892BDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2931
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSH892BDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH Vishay SiSH892BDN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)

THB25.536

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27.324

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

5990 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 40	THB25.536	THB255.36
50 - 90	THB24.897	THB248.97
100 - 240	THB24.274	THB242.74
250 - 990	THB23.668	THB236.68
1000 +	THB23.076	THB230.76

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2931
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSH892BDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet - SiSH892BDN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	PowerPAK 1212-8SH
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	0.0304 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.4V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si

N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH Vishay SiSH892BDN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง