Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA10BDP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 735-112
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB48.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB51.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB48.02 |
| 25 - 99 | THB31.68 |
| 100 - 499 | THB16.34 |
| 500 - 999 | THB15.84 |
| 1000 + | THB15.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-112
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.005Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 5.3mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.005Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 5.3mm | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
The Vishay N channel MOSFET is designed for efficient and reliable power switching in high-performance power electronics. it is fully Rg and UIS tested to ensure robustness under electrical stress and demanding operating conditions. optimized for low losses and fast switching, it supports Compact high power density designs while meeting RoHS compliant and halogen free requirements.
Offers 100 percent Rg and UIS testing for proven device reliability
Supports high power density dc/dc converter applications
Enables efficient synchronous rectification performance
Complies with RoHS standards and halogen free requirements
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS54DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA10DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA18BDP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3